加利福尼亞州圣克拉拉，2020年2月27日——格芯 (GLOBALFOUNDRIES )今日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX )平臺(tái)的嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計(jì)劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個(gè)重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的高性價(jià)比選擇。

　　格芯的eMRAM產(chǎn)品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設(shè)計(jì)人員擴(kuò)展現(xiàn)有物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)28nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功率和密度優(yōu)勢(shì)。

　　格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)，已通過了5次嚴(yán)格的回流焊實(shí)測(cè)，在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)具有100,000次使用壽命和10年數(shù)據(jù)保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級(jí)設(shè)計(jì)，且還在開發(fā)工藝，預(yù)計(jì)明年將支持AEC-Q100 1級(jí)解決方案。

　　格芯汽車、工業(yè)和多市場(chǎng)戰(zhàn)略業(yè)務(wù)部門高級(jí)副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們將繼續(xù)通過功能豐富的可靠解決方案實(shí)現(xiàn)差異化FDX平臺(tái)，客戶可利用這些解決方案來構(gòu)建適用于高性能和低功耗應(yīng)用的創(chuàng)新產(chǎn)品。我們的差異化eMRAM部署在業(yè)界先進(jìn)的FDX平臺(tái)之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實(shí)現(xiàn)高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨(dú)特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用?！?/p>

　　格芯攜手設(shè)計(jì)合作伙伴，即日起提供定制設(shè)計(jì)套件，包括通過芯片驗(yàn)證的插入式MRAM模塊（4至48MB），以及MRAM內(nèi)置自檢功能支持。

　　eMRAM是一種可擴(kuò)展功能，預(yù)計(jì)將在FinFET和未來的FDX平臺(tái)上推出，作為公司先進(jìn)eNVM路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號(hào)晶圓廠的先進(jìn)300mm產(chǎn)品線將為MRAM 22FDX的量產(chǎn)提供支持。

　　如需了解更多有關(guān)格芯 （GLOBALFOUNDRIES ）22FDX和MRAM特性的信息，請(qǐng)聯(lián)系您的格芯 （GLOBALFOUNDRIES ）銷售代表或訪問globalfoundries.com。