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英特爾QLC 3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)量破千萬

2020-02-14
來源:搜狐科技

  近日,英特爾非易失性存儲方案事業(yè)部宣布基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾?QLC 3D NAND固態(tài)盤(SSD)已達1000萬個。此項生產(chǎn)始于2018年底,這一新的里程碑也確立了QLC技術成為主流大容量硬盤技術的重要地位。

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  2019年4月,英特爾推出了傲騰H10混合式固態(tài)盤。這款產(chǎn)品將英特爾傲騰技術的卓越響應速度和英特爾QLC 3D NAND技術的強大存儲容量融為一體,采用M.2規(guī)格。

  英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產(chǎn)品營銷總監(jiān)Dave Lundell表示:

  “很多公司都談論過QLC技術,但只有英特爾真正意義上實現(xiàn)了QLC技術的大規(guī)模交付。我們一方面看到整個市場對英特爾低成本高收益的容量型QLC SSD (英特爾?SSD 660p)有著巨大需求,同時也看到大家對英特爾?傲騰?技術+QLC解決方案傲騰H10混合式固態(tài)盤在高性能方面的表現(xiàn)充滿期待。”

  關于這一里程碑的一些簡要情況:

  英特爾QLC 3D NAND主要應用于英特爾SSD 660p、英特爾?SSD 665p和傲騰H10混合式固態(tài)盤存儲解決方案。

  英特爾QLC驅動器采用每單元4比特設計,并以64層和96層NAND配置存儲數(shù)據(jù)。

  英特爾在過去十年中一直致力于該技術的研發(fā)。2016年,英特爾工程師將已被充分驗證的浮柵(FG)技術調(diào)整為垂直方向,并將其集成在環(huán)柵結構中,進而獲得每裸片存儲384Gb數(shù)據(jù)的3D TLC技術。2018年,具備64層,每單元4比特,可儲存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問世。2019年,英特爾升級到96層,進一步提升了整體存儲密度。

  QLC目前是英特爾整體存儲產(chǎn)品組合的一部分,這一組合包括客戶端和數(shù)據(jù)中心相關產(chǎn)品。

  英特爾、英特爾標識以及其他英特爾商標是英特爾公司或其子公司在美國和/或其他國家的商標。

  *文中涉及的其它名稱及品牌屬于各自所有者資產(chǎn)。


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