2019年6月18日，全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出新型1.8V 2Gb NAND Flash和2Gb LPDDR4x動態(tài)隨機存取內存8.0mm x 9.5mmx 0.8mm的多芯片封裝產品 (以下簡稱MCP) 。

　　新的W71NW20KK1KW產品將可靠的SLC NAND Flash以及高速、低功耗的LPDDR4x動態(tài)隨機存取內存集成在一個單一封裝中，完整提供使用于辦公室與家庭的5G終端設備相關應用所需的存儲容量。

　　一般而言，行動式5G終端設備通常需要更大的內存，2Gb NAND / 2Gb DRAM的內存容量非常適合在固定式5G終端設備中運行。透過MCP封裝組合，華邦的W71NW20KK1KW使5G終端設備的制造商能用恰如其分的容量和較低的生產成本滿足系統(tǒng)需求。

　　過往，在通往高速寬帶網絡的最后一哩路 (last mile)多數采用有線連結的方式。預期采用W71NW20KK1KW達成成本優(yōu)化的新一代5G終端設備將有助于消費者加速其采用5G以替代專線銅纜或光纖xDSL。

　　華邦閃存產品企劃經理黃信偉表示：「在家庭和辦公室建置固定式5G終端設備將是下一階段聯(lián)網市場的成長契機，而華邦的2Gb + 2Gb MCP是最理想的選擇。」

　　「華邦是目前全球唯一一家擁有晶圓廠并同時生產NAND和LPDDR4x的MCP制造商。華邦完整掌握其所有內存部件之生產，因此即使客戶大量訂購W71NW20KK1KW MCP，也可以100％信賴華邦對供貨數量、交期、質量和服務的保證。」

　　W71NW20KK1KW是一款149球BGA封裝的MCP，由2Gb SLC NAND Flash和2Gb LPDDR4x 動態(tài)隨機存取內存組成。其中的SLC NAND Flash僅需4位糾錯碼（ECC）引擎即可提供出色的耐久度和數據正確性，然而該器件2K Byte + 128 Byte的頁面容量亦能支持到8位糾錯碼 (ECC)。

　　W71NW20KK1KW的NAND Flash提供具有8位總線，由64頁組成一個區(qū)塊，最快頁面加載時間為25μs，一般頁面寫入時間為250μs。

　　LPDDR4x動態(tài)隨機存取內存芯片可支持高達1866MHz的工作頻率，滿足LVSTL_11接口需求，并具有8個內部分區(qū)，可用于并行操作。它提供高達4267MT / s的數據速率，支持5G通訊所需的快速數據傳輸速率。