六月初，在日本東京舉辦的超大規(guī)模集成電路研討會(huì)中，臺(tái)積電秀出了自家設(shè)計(jì)的一塊芯片。在參數(shù)方面，這塊芯片采用7nm工藝，尺寸為4.4x6.2mm，封裝工藝為晶圓基底封裝，采用了雙芯片結(jié)構(gòu)，其一內(nèi)建4個(gè)Cortex A72核心，另一內(nèi)建6MiB三緩。
這塊芯片采用了一種雙芯片設(shè)計(jì)，這種技術(shù)可以通過添加額外的PHY來進(jìn)行擴(kuò)展，芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯(lián)。每個(gè)小芯片具有15個(gè)金屬層。臺(tái)積電采用了四個(gè)Arm Cortex-A72內(nèi)核，針對(duì)turbo頻率大于4GHz電壓操作，配備了高性能單元并定制設(shè)計(jì)1級(jí)高速緩存單元，這一模塊有兩個(gè)L2緩存塊，每個(gè)1 MiB，這些是使用它們的高電流位單元實(shí)現(xiàn)的，并以半速運(yùn)行。此外，還有一個(gè)大型的6 MiB L3緩存，使用高密度位單元實(shí)現(xiàn)，并以四分之一速度運(yùn)行。在1.2V的電壓下，Cortex內(nèi)核可以達(dá)到4GHz，實(shí)測(cè)最高達(dá)到了4.2GHz。
臺(tái)積電稱，這款芯片是為高性能計(jì)算平臺(tái)設(shè)計(jì)，這也解釋其主頻為何如此驚人。雖然目前和世界主流芯片大廠有著一定差距，但近年來臺(tái)積電一步一腳印，有著厚積薄發(fā)的態(tài)勢(shì)。
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