近日，在2018中國國際應用科技交易博覽會上，我國5G芯片交出了一份喜人的成績：國產(chǎn)5G通信基站GaN（氮化鎵）功率放大器芯片在中國發(fā)明成果轉(zhuǎn)化研究院展區(qū)對外亮相。
據(jù)悉，5G芯片研究院有關(guān)負責人透露，GaN芯片已完成多款產(chǎn)品設計，并已獲得中電集團客戶認證成功，計劃2019年正式推出，將可全面滿足中國5G通信基站對射頻功率放大器的需求，未來可望實現(xiàn)人與人乃至物聯(lián)網(wǎng)、生產(chǎn)機器人、無人駕駛“實時無線電通信”。
如今在3．5GHz以上基站部署方面，GaN將逐步取代LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）。GaN優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率，尤其在5G多輸入多輸出（Massive MIMO）應用中，可實現(xiàn)高整合性解決方案。
我國5G GaN功率放大器芯片通過認證并在2019年正式推出，這將為我國5G建設帶來助力。
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