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臺積電奔向7nm,繼續爭做全球第一

2018-10-26

技術改變世界,但世界同時也在埋葬技術。

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來自外媒的消息報道說,預計到2018年底,臺積電用7nm工藝完成流片的芯片設計將超過50款,而到2019年底會有100多款芯片采用其7nm和增強版7nm EUV極紫外光刻技術。

阿明觀察分析:搶奪全球芯片代工制造的話語權,臺積電TSMC可謂真的是拼了。

在此之前,有消息透露臺積電7nm EVU已經完成了芯片流片,7nm EVU相比于7nm DUV晶體管密度提升20%,同等頻率下功耗可降低6-12%。

極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),常稱作EUV光刻,極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。

業界有人曾提到,EUV 光刻的技術能夠拯救摩爾定律。這是,EUV光刻機的價格高達一億美金。目前,全球可以量產7nm工藝制程EUV光刻機的也只有ASML了。

更有意思的是,不僅ASML光刻機耗電量驚人。一臺輸出功率為250W的EUV光刻機工作一天,光是光源這一項,就會消耗3萬度電。

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同時用于ASML的鏡片也是祖傳的,采用蔡司技術打底。鏡片材質做到均勻,需幾十年到上百年技術積淀。德國,拋光鏡片的工人,祖孫三代在同一家公司的同一個職位。

話又說回來,臺積電計劃在2020年大規模量產7nm EUV,不得不提前布局,提前投入技術和人才為此而努力。當然,隨著7nm EUV技術登臺亮相,早先的28nm工藝利用率自然會大幅度下滑。因此技術創新迭代的同時,如何打理好老技術的利用價值,也是對臺積電一個不小的挑戰。(Aming)

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——阿明/撰文——

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