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意法半導體與Leti共同開發用于功率轉換的GaN-on-Si二極管和晶體管架構

2018-10-06
關鍵詞: 充電器 半導體 功率

日前STMicroelectronics和CEA-Leti正在合作開發用于功率轉換的氮化硅 - 硅(GaN-on-Si)技術并試圖使其能夠實現工業化生產。這將使ST能夠達到其高效率,高功率的應用需求,包括用于混合動力和電動汽車(HEV / EV)的汽車車載充電器,無線充電和服務器。

此次合作的重點是在200mm晶圓上開發和驗證功率GaN-on-Si二極管和晶體管架構。研發公司IHS Markit同時預測,從2019年到2024年,市場的復合年增長率(CAGR)將以超過20%的速度增長。

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在基于IRT Nanoelec的框架內,由CEA-Leti領導的研發團隊專注于利用微電子和納米電子的信息和通信技術(ICT),ST和Leti則正在共同開發Leti的200mm 研發生產線上的工藝技術,并預計能在2019年獲得通過驗證的工程樣品。與此同時,意法半導體將建立一條完全滿足生產要求的生產線,包括GaN / Si異質外延生產線,預計在2020年于法國圖爾的ST前端晶圓廠投產。

此外,考慮到GaN-on-Si技術在電源應用中的市場,Leti和ST正在評估先進技術,以改善高功率密度電源模塊組裝的器件封裝。

意法半導體汽車與分立器件產品部經理Marco Monti表示,“我們已經認識到寬帶隙半導體具有很高的價值,ST和CEA-Leti在功率GaN-on-Si制造和封裝技術方面的助力使我們擁有業界最完整的GaN和SiC產品和最優的產品性能,憑借這些,我們足以批量生產高質量,可靠的產品。”

“利用Leti的200mm通用平臺優勢,Leti的團隊將會投入到支持ST戰略性GaN-on-Si電力電子路線圖,并準備將該技術轉移到ST在圖爾的專用GaN-on-Si生產線上,”Leti首席執行官Emmanuel Sabonnadiere說。同時他補充道““這項共同開發,涉及雙方團隊,因此利用IRT Nanoelec框架計劃擴大所需的專業知識,并從設備和系統層面開始創新是十分必要的。”

今年2月,意法半導體還宣布與美國MACOM公司開發用于射頻應用的GaN-on-Si, 以滿足MACOM在各種RF應用中的使用以及ST在非電信市場中的使用。目前RF GaN-on-Si 更適合150mm晶圓。并且由于它們產生開關損耗較低,因此GaN技術適用于更高頻率方向。


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