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總投資60億 英諾賽科寬禁帶半導體項目落戶吳江

2018-06-27

近日,英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區舉行開工儀式。據悉,該項目總投資60億,占地368畝,建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺,填補我國高端半導體器件的產業空白。

據介紹,英諾賽科由海歸創業團隊創立,專注于寬禁帶半導體技術研發與產業化的高科技企業,掌握多項核心專利技術。2017年年底,英諾賽科在珠海成功建設完成了我國首條八英寸硅基氮化鎵量產線,實現了歷史性的突破,填補了我國在這一領域的空白。

開工儀式上,吳江區副區長、汾湖高新區黨工委副書記、管委會主任吳琦表示,英諾賽科蘇州半導體項目的建設,將有助于相關上下游企業向吳江集聚靠攏,形成產業集群效應,將汾湖高新區打造成為一個世界級的先進半導體研發與生產中心。吳江將積極支持英諾賽科寬禁帶半導體項目的建設,并為海歸創業人士創造有利的政策環境,共同推進高端芯片的國產化。

英諾賽科CEO孫在亨表示,目前,在氮化鎵的電子電力器件及射頻器件,尤其是硅基氮化鎵領域,我國還未能實現國產化。該項目的落地,就是要打破這樣的局面、填補我國高端半導體器件的產業空白。同時,該項目也是該領域全球首個大型量產基地,單月滿產可達6-8萬片,為5G移動通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯網等產業的自主創新發展和其他轉型升級行業提供先進、高效、節能和低成本的核心電子元器件。


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