身為中國(guó)半導(dǎo)體“國(guó)家隊(duì)”的中芯國(guó)際，在前臺(tái)積電、三星首席技術(shù)官梁孟松出任聯(lián)席 CEO 后，提出 2019 年要量產(chǎn) 14 納米 FinFET 的時(shí)程表，然供應(yīng)鏈透露，10 納米也計(jì)劃力拼在同年推出，以此來(lái)看，看似低調(diào)的中芯，其實(shí)早已開(kāi)始密謀規(guī)劃在 2019 年連續(xù)發(fā)射 14 / 10 納米兩枚高端技術(shù)的巨型飛彈，要把與臺(tái)積電、三星之間的工藝距離縮短至 1~1.5 個(gè)世代，屆時(shí)，禁錮多年的國(guó)內(nèi)高端技術(shù)將全面破繭而出。
ASML 光刻機(jī)到位，象征國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入全新階段
近期中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)非比尋常的突破，來(lái)自于中芯國(guó)際、紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)華力微電子均獲得荷蘭設(shè)備大廠 ASML 光刻機(jī)支援，這三家大廠分屬于 14/10 納米技術(shù)、3D NAND 技術(shù)，以及主攻 28 納米開(kāi)發(fā)，同步獲得高端光刻機(jī)，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體攜手挺進(jìn)高端技術(shù)的一大步。
中芯國(guó)際預(yù)定了一臺(tái) ASML 極紫外光光刻機(jī)，價(jià)格 1.2 億美元，預(yù)定 2019 年交貨，這是有史以來(lái)中芯進(jìn)口最高端的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備，可見(jiàn)在高端工藝技術(shù)上的決心，或許將展現(xiàn)“國(guó)家隊(duì)”實(shí)力。
回顧中國(guó)半導(dǎo)體過(guò)去 18 年的發(fā)展歷程，之所以未能有更具體的突破，且持續(xù)在中、低端制程工藝徘徊，缺乏關(guān)鍵人才絕對(duì)是主因之一。但事隔 18 年，在大基金的政策主導(dǎo)下，再度引領(lǐng)中國(guó)半導(dǎo)體重新啟航，在尋找“名帥”、聚集“良將”的政策下，找來(lái)前臺(tái)積電、三星技術(shù)掌舵者梁孟松主導(dǎo)中芯的高端技術(shù)開(kāi)發(fā)。
梁孟松要挑戰(zhàn)不可能任務(wù)，快速追趕臺(tái)積電
中芯國(guó)際對(duì)外公布，28 納米 HKMG 制程也會(huì)于 2018 年底問(wèn)世，而 2019 年 14 納米 FinFET 技術(shù)將正式量產(chǎn)，這代表梁孟松將以不到兩年的時(shí)間，追上 14 納米技術(shù)。
中芯只有對(duì)外公布 14 納米 FinFET 技術(shù)將在 2019 年量產(chǎn)，并未提到 10 納米工藝技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)。
然而，供應(yīng)鏈透露，梁孟松不單計(jì)劃在 2019 年量產(chǎn) 14 納米 FinFET，更秘密規(guī)劃在 2019 年同步推出 10 納米 FinFET 工藝，這種同一年推出兩個(gè)極高端工藝的進(jìn)度，在其他半導(dǎo)體大廠眼中，堪比“不可能任務(wù)”，但梁孟松要讓所有人看到，他要將巨大的“不可能”，化為實(shí)質(zhì)的技術(shù)成果。
今年，臺(tái)積電、三星要進(jìn)入全新一輪的 7 納米 FinFET 技術(shù)爭(zhēng)奪戰(zhàn)，明年，這兩家半導(dǎo)體龍頭要比拼的是第二代 7 納米 FinFET 技術(shù)，全數(shù)導(dǎo)入 ASML 的 EUV 機(jī)臺(tái)做量產(chǎn)。
如果中芯 2019 年真的能把 10 納米 FinFET 工藝推出，其與臺(tái)積電、三星之間的技術(shù)差距，將從過(guò)去差距高達(dá)三個(gè)技術(shù)世代，大幅縮短至距離 1.5~1 個(gè)世代，這其中有另一層重要的含義——代表梁孟松只用了兩年的時(shí)間，讓“彎道超車(chē)”從口號(hào)成為事實(shí)。
梁孟松在 2017 年 10 月正式加入中芯國(guó)際，擔(dān)任聯(lián)席 CEO 職位，在此之前，他離開(kāi)韓國(guó)三星，加入中芯國(guó)際的傳言早已是滿天飛。
梁孟松進(jìn)入中芯國(guó)際后，在內(nèi)部進(jìn)行研發(fā)部門(mén)體質(zhì)大改造，落實(shí)“絕對(duì)精兵政策”，不單是一般半導(dǎo)體企業(yè)淘汰最后 3~5% 員工這么簡(jiǎn)單，他是大刀闊斧地將技術(shù)研發(fā)（Technology Developement）部門(mén)換血率大幅提高，傳該部門(mén)離職率高達(dá) 40%，主管職等的換血率更超過(guò) 50%，然對(duì)外，他則是非常低調(diào)，除了在中芯分析師電話會(huì)議上曾短暫發(fā)表言論外，對(duì)外一律是現(xiàn)“聲”不現(xiàn)“身”。
在他加入前，中芯國(guó)際在高端技術(shù)一直苦于無(wú)法突破，單是 28 納米工藝就卡關(guān)多年。中芯曾在 2015 年宣布 28 納米 PolySion 工藝量產(chǎn)并成功使用在高通驍龍 410 處理器上，但實(shí)際使用量并不多，多年來(lái)中芯 28 納米占營(yíng)收的比重一直停留在個(gè)位數(shù)，且真正高端的 28 納米 HKMG 技術(shù)也遲遲無(wú)法突破。
中芯國(guó)際 2019 年 14 納米 FinFET 技術(shù)量產(chǎn)后，距離上一代的 28 納米 PolySion 工藝技術(shù)，整整隔了四年之久。但中芯若在 2019 年讓 14 納米、10 納米技術(shù)二連發(fā)，那可真的一雪之前技術(shù)裹足不前之恨，而中芯的突破，就是中國(guó)半導(dǎo)體制程技術(shù)破繭而出的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。
中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展下半場(chǎng)，誰(shuí)是最終的馭勢(shì)者？
眼前的中芯國(guó)際高端工藝技術(shù)即將以“彎道超車(chē)”之姿，把過(guò)去中國(guó)半導(dǎo)體走了 18 年坎坷的未竟之功，在 2~3 年內(nèi)快速趕上，達(dá)到比肩國(guó)際半導(dǎo)體大廠的目標(biāo)，中芯國(guó)際的這些成績(jī)，其實(shí)可以預(yù)示中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生變化。
變化之中，定有必然之勢(shì)，此后，察勢(shì)者智，馭勢(shì)者贏，失勢(shì)者衰。
另一家公司，則將中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過(guò)往的“失勢(shì)”暴露得淋漓盡致，那就是正在經(jīng)歷“曲折生死劫”中興。事件爆發(fā)的一個(gè)多月以來(lái)，無(wú)論是自媒體還是《人民日?qǐng)?bào)》、新華社等權(quán)威媒體，都發(fā)出“不計(jì)成本加大芯片投資”的聲音。
所謂“不計(jì)成本”，只是文筆上一種簡(jiǎn)潔形象的說(shuō)法，全局的方向和共識(shí)總是容易達(dá)成，但是具體到執(zhí)行層面，我們?nèi)孕枰喔哔|(zhì)量的討論，真正還原技術(shù)和商業(yè)背后的矛與盾、利與勢(shì)。而且，從古今中外科技行業(yè)發(fā)展的普遍規(guī)律來(lái)看，核心技術(shù)的創(chuàng)新主體絕對(duì)有企業(yè)家的一席之地，這也意味著，這樣的討論也絕對(duì)不能沒(méi)有這些一線沖鋒者的參與。