為對抗三星，臺積電計劃導入極紫外光(EUV)微影設備，決定在7納米強化版提供客戶設計、并在5納米全數導入。這項決定引發(fā)群聚效應，激勵相關設備供應鏈和材料廠全數動起來，搶進「臺積大聯(lián)盟」，以分到市場。

據臺灣《經濟日報》報導，為爭取臺積電訂單，美商科磊(KLA-Tencor)宣布推出全新搭配EUV的檢測設備、德商默克(Merck)在南科成立亞洲區(qū)IC材料應用研發(fā)中心，下月正式啟用。 據報導，半導體芯片原有193納米波長的浸潤機已無法滿足需求，必須升級13.5納米極紫外光(EUV)，以降低晶圓制造的光罩數，縮短芯片制程流程。

極紫外光(EUV)微影設備無疑是半導體制程推向3nm的重大利器。 這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產供應，目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。

EUV設備賣價極高，原因是開發(fā)成本高，因此早期ASML為了分攤開發(fā)風險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發(fā)完成，臺積電后來全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。

有別于過去半導體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術，EUV微影設備是利用波長極短的紫外線，在硅晶圓上刻出更微細的電路圖案。

ASML目前EUV年產能為12臺，預定明年擴增至24臺。 該公司宣布2017年的訂單已全數到手，且連同先前一、二臺產品，已出貨超過20臺;2018年的訂單也陸續(xù)到手，推升ASML第2季營收達到21億歐元單季新高，季增21%，每股純益1.08歐元，股價也寫下歷史新高。

因設備昂貴，且多應用在7nm以下制程，因此目前有能力采購者，以三星、臺積電、英特爾和格羅方德為主要買家。