近日，紫光集團董事長趙偉國對公司的未來發(fā)展提出了兩大目標：一是希望到2020年時，能在移動芯片領域大幅縮小與全球兩大手機芯片商高通和聯(lián)發(fā)科的距離；二是紫光要在十年內躍身成為全球前五大存儲器制造商。

對于紫光而言，第一個目標的實現(xiàn)相對來說比較容易，畢竟自收購此前在美國上市的展訊和銳迪科之后，紫光在手機芯片設計領域的成就是有目共睹的。

不過，作為存儲器市場的“新人”，紫光一直屬于追趕者，但經過近幾年來的戰(zhàn)略布局，紫光在存儲器領域的發(fā)展成功引起了業(yè)內的關注，盡管實現(xiàn)全球前五的目標難度不小，但也不是不可能。那么，趙偉國離這一夢想的實現(xiàn)究竟還有多遠呢？

對外并購受阻 內部整合加速

從此前的國內發(fā)展到逐漸在全球市場上嶄露頭角，再到如今的多起行業(yè)并購，近年來，紫光為發(fā)展集成電路產業(yè)開啟了高速擴張模式，“買買買”的發(fā)展戰(zhàn)略也受到業(yè)界高度關注。

不過，隨著收購存儲器大廠美光、入股硬盤大廠西部數(shù)據、入股臺灣封測廠商力成、矽品和南茂這一系列投資并購案的悉數(shù)破局，紫光的對外并購投資策略頻頻受阻。

Source：全球半導體觀察

但這并不影響紫光發(fā)展存儲器產業(yè)的決心，不僅于2016年9月與西部數(shù)據成立了合資企業(yè)紫光西數(shù)，進軍大數(shù)據存儲領域，同時還加速了紫光系內部資源的整合。

事實上，今年3月份，紫光間接控股子公司紫光國芯就曾以4836萬元的價格收購了國內具有世界主流大容量存儲器核心設計開發(fā)技術公司西安華芯半導體公司（現(xiàn)已更名為“西安紫光國芯”）24%的股權。

4月中旬，紫光系內部整合計劃再次發(fā)布，紫光國芯宣布擬以發(fā)行股份的方式收購紫光旗下子公司長江存儲全部或部分股權。

短短幾個月時間，紫光系已經先后宣布了兩項內部整合計劃，且都是在存儲器領域，無疑，這樣的整合方式有利于紫光在存儲器領域攥緊成拳、形成合力。

技術產能全力追趕

由于具備性能和成本優(yōu)勢，目前3D 堆疊技術備受業(yè)內追捧，已經逐漸發(fā)展成為NAND Flash領域的主流制程。

大部分原廠也開始將產能從2D 轉向 3D，包括三星、東芝/西數(shù)、SK海力士等在內的國際大廠，都已量產48層堆疊3D NAND Flash產品，但在更高堆疊層數(shù)的研發(fā)上，只有SK海力士發(fā)展較為迅速，已經研發(fā)出72層3D NAND Flash產品。

東芝/西數(shù)陣營的64層3D NAND Flash產品預計最快也要到今年5月底才能量產，三星64層產品則要到今年7月才能進入生產階段。至于美光，目前該廠商的3D NAND Flash產品仍以32層堆疊為主，產出比重超過50%。

紫光作為國內存儲器產業(yè)發(fā)展的龍頭，自然也不會錯過這次機會。事實上，在3D NAND Flash的技術研發(fā)方面，紫光的起點雖然較低，但速度還是較快。

有消息稱，長江存儲計劃在今年年底提供32層堆疊3D NAND Flash閃存樣品，然后繼續(xù)開發(fā)64層堆疊。

而在產能擴張方面，紫光更是毫不“手軟”。

2016年7月，紫光將當時承擔國內NAND Flash拓荒重任的武漢新芯納入麾下，并且成立了長江存儲。其中包括建造3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash工廠，預計到2020年實現(xiàn)月產能30萬片12寸晶圓，到2030年月產能提升至100萬片。

此后，紫光開始大刀闊斧地投資建廠，董事長趙偉國曾在“2016年十大經濟年度人物”頒獎典禮上表示，今年將在成都和南京打造兩座半導體產業(yè)基地，總投資規(guī)模達460億美元。

資料顯示，南京半導體項目建成后將主要用于3D NAND Flash以及DRAM存儲器芯片的生產，首期投資約為100億美元，規(guī)劃月產能10萬片每月。

至于成都方面，4月22日，紫光總投資不低于2000億元的IC國際城項目已經正式落戶成都天府新區(qū)，其中就包括200億美元左右的12寸晶圓廠，雖然目前尚不清楚該工廠的具體用途，但從紫光近期的發(fā)展布局來看，很有可能也是用于3D NAND Flash產品的生產。

此外，在人才計劃方面，紫光已經向全球存儲器高端、專業(yè)人才發(fā)出了招募計劃，包括前華亞科董事長高啟全、總經理梅國勛、聯(lián)電前CEO孫世偉等在內的行業(yè)大咖都已經加盟紫光。

所以，綜合來看，不管是從產業(yè)布局，還是技術研發(fā)，紫光都已經拿到了與國際大廠PK的入場券，至于能否實現(xiàn)十年內進入全球存儲器前五的目標，還需拭目以待。