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打破市場壟斷 國產32層堆棧3D閃存將于2019年量產

2017-03-17
關鍵詞: NAND 三星 閃存 芯片

NAND閃存芯片三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷,中國公司在此領域毫無話語權,甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產,預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。

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長江存儲科技前身是武漢新芯公司,該公司去年聯合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地,隨后該公司被紫光公司收購,變成了長江存儲科技(英文簡稱為TMTC),武漢投資項目一期工程就是生產3D NAND閃存。

國產3D NAND閃存的起點還不算低,目前研究的是32層堆棧的3D NAND閃存,前不久長江存儲CEO楊士寧宣稱國產3D閃存各項指標已經達到了預期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與(中科院)微電子所三維存儲器研發中心聯合開發,在微電子所三維存儲器研發中心主任、長江存儲NAND技術研發部項目資深技術總監霍宗亮的帶領下,成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證,向產業化道路邁出具有標志性意義的關鍵一步。

3D NAND完成實驗室研發只是一小步,后續的大規模量產才是關鍵。Digitimes報道稱長江存儲科技CEO楊士寧表示3D閃存工廠的生產裝備將在2018年Q1季度完成安裝,2019年則會完全量產。該公司的目標是在2020年時技術上達到國際領先的存儲芯片供應商的水平。

楊士寧表示了NAND閃存市場需求正在被云計算、智能終端所推動,同時中國市場也具有極大的發展潛力。

不論是DRAM內存還是NAND閃存市場,目前都被極少數廠商所統治,楊士寧表示長江存儲科技希望打破少數公司對市場的壟斷,該公司進入市場將為業界帶來良性競爭。

中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產能,楊士寧稱在強大的市場需求及中國政府的財政支持下,長江存儲科技公司將增強對現有幾家存儲芯片公司的競爭力。

要想獲得長久的成功,擁有自己的核心是技術也是非常關鍵的,長江存儲科技公司目前就在這么做。楊士寧稱收購或者戰略投資也是該公司實現增長的另一個選擇。


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