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堆疊PowerStack封裝電流獲得更高功率POL

2016-12-12

  標簽:dcdc,nexfet,mosfet,tps546c23,swift

  電壓穩壓器,特別是集成MOSFET的直流/直流轉換器,已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調節器,發展到現在能夠提供更高功率、監控操作環境且能相應地適應所處環境。

  以前,需要高于10-15A電流的應用通常依賴于具有外部MOSFET的控制器,以提供所需功率完成工作。轉換器盡管可讓設計的布局更簡單,使用物料清單(BOM)中的組件更少,同時還能提供具有高可靠性的高密度解決方案,但可提供的功率相對有限。

  諸如網絡路由器、交換機、企業服務器和嵌入式工業系統等應用的耗電量越來越高,需要30A、40A、60A或更高電流以用于它們的負載點(POL)設計。當適應控制器和外部MOSFET時,這些應用極大地限制了主板空間。

  MOSFET和封裝技術的進步使得TI能夠成功應對這些挑戰。諸如TI 2.x NexFET?功率MOSFET的新一代MOSFET,在給定的硅面積中具有更低電阻率(R DS(on)),以實現更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術將集成電路(IC)和MOSFET相互堆疊(見圖1),以提供能夠供應每相35A-40A的轉換器。為達到新高度,TI目前提供的轉換器,比如TPS546C23 SWIFTTM轉換器,可實現電流堆疊(見圖2),提供高達70A的POL。

  下載參考設計“采用具有PMBus 接口的堆疊 TPS546C23 DC/DC 轉換器的12Vin、1.2Vout、60A大功率密度頂部電感器負載點(POL)”。

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  圖1:PowerStack封裝實現高密度

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  圖2:堆疊兩個DC / DC轉換器實現更高負載電流

  處理高密度功率環境需要優化系統功率和動態電源管理(APM)。例如,1VOUT30A POL中10%的電壓上下波動范圍會影響封裝熱量,達到0.5W!避免過多熱量留在安全操作區域(SOA),且不影響系統的可靠性至關重要。為了實時正確管理電源(見圖3),監測遙測參數(如電流,電壓和溫度)至關重要。TI 具有PMBus的新型TPS546C23轉換器支持遙測技術。

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  圖3:Fusion GUI通過PMBus管理電源

  電壓穩壓器從簡易低功率供電,發展到如今具有集成MOSFET的DC/DC轉換器,可以傳輸更高功率,并對環境進行監控和適應。現在,您可輕松地監控、管理并堆疊TI的TPS546C23 PowerStack轉換器,提供高達70A的高密度、高性能POL。獲取更多信息并訂購評估面板。


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