存儲器供貨吃緊，價格噴發，先前韓媒預估，廠商制程轉換將使產能減少，明年下半可能還有一波新行情。對此外資警告，DRAM榮景能否持續，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。

　　巴倫(Barronˋs)、報道，六月以來PC DRAM現貨價大漲30%，光是過去兩周就飆升9%；NAND Flash也供不應求，價格挺升，存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股價都因此一飛沖天。存儲器市場還能熱多久？Bernstein Research的Mark Newman說，一切要看三星。

　　Bernstein報告稱，要是DRAM獲利提高到誘人地步，三星可能會增產，一如該公司在2014、2015年所做。他們估計，三星DRAM毛利將拉高至58~59%的高點，類似2014/15年，屆時三星應會在17號產線或新落成的平澤廠等閑置廠房增加產能，如此一來，市場將從供不應求，轉為平衡，甚至在2017年中或年末時，演變為供給過剩。

　　報告指出，未來幾個月，DRAM類股仍會有好表現。不過供給緊俏、三星有巨大成本優勢，又有閑置廠房可提升產能，預期三星可能會增加3D NAND和DRAM產出。

　　與此同時，SK海力士股價從五月中低點大漲逾50%，JP Morgan的JJ Park建議應該獲利了結。他說就算DRAM價格維持高檔，SK海力士需要砸錢蓋廠房，生產3D NAND，毛利會受沖擊，不看好未來股價表現。

　　SK海力士22日下跌0.13%收在39,350韓元。今年迄今飆漲27.97%。

　　明年下半DRAM供給可能會供不應求，存儲器廠商轉進20納米制程的產能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱新行情。

　　韓媒、報道，半導體和投資銀行的業界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產量將減少2萬組，從當前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉換造成產能減少。不僅如此，產程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。

　　據了解，明年上半年是淡季，DRAM可能會略為供給過剩。不過隨著美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)轉進20納米，產出減少；下半年傳統旺季到來時，業者又未增加投資，DRAM將由供給過多變為供給不足。