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臺積電宣布10nm完工 7nm/5nm瘋狂推進中

2016-07-20

  2015年Intel、三星、TSMC都已量產16/14nm FinFET工藝,下一個節點是明年的10nm,而10nm之后的半導體制造工藝公認越來越復雜,難度越來越高,甚至可能讓摩爾定律失效,需要廠商拿出更多投資研發新技術新材料。

  TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星,不過他們在10nm及之后的工藝上很自信,2020年就會量產5nm工藝,還會用上EUV光刻工藝。

  TSMC日前舉行股東會議,雖然董事長張忠謀并沒有出席,不過兩大聯席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅都出席了會議,公布了TSMC公司Q2季度運營及技術發展情況,該公司調高了今年的資本支出到95-105億美元,高于Intel公司的90-100億美元,顯示對未來發展的看好。

  至于工藝進展,劉德音公布了TSMC的2020路線圖,認為EUV光刻工藝在2020年時能有效降低量產5nm工藝的成本,TSMC計劃在5nm節點上應用EUV工藝以提高密度、簡化工藝并降低成本。

  目前TSMC公司已經在7nm節點研發上使用了EUV工藝,實現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行,2017年Q1季度還會再購買2臺。

  之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產型EUV光刻機,目的是在2017年加速7nm工藝量產。

  EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵,但進展一直比較緩慢,至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節點就能用上EUV工藝,之后又說7nm節點量產EUV工藝,但現實情況并沒有這么樂觀,現在他們的說法也是2020年的5nm節點,跟Intel的預計差不多了。

  5nm還很遙遠,10nm及7nm還比較現實,TSMC表示他們的10nm工藝已經有三個客戶完成流片,雖然沒公布客戶名稱,但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯發科X30(被海思、展訊刺激的聯發科在X30上爆發了)以及海思新一代麒麟處理器,流片的估計就是這三家了。

  TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片,該工藝將在2017年Q1季度量產。

  至于7nm,TSMC表示他們已經提前256Mb SRAM芯片,進展順利,CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色,已經有高性能客戶預計在2017年上半年流片,正式量產則是在2018年。


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