2016 年 5月10日- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號： ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場截止溝槽技術(shù)。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的設(shè)計(jì)旨在提升工作性能水平，以符合現(xiàn)代開關(guān)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。這些1200伏特(V)器件能實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)特點(diǎn)；顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

　　NGTB40N120FL3WG的Ets為2.7毫焦耳(mJ)，而NGTB25N120FL3WG的Ets為1.7 mJ。兩款器件在各自額定電流下的VCEsat均為1.7 V。NGTB40N120L3WG經(jīng)優(yōu)化提供低導(dǎo)通損耗，額定電流下的VCEsat為1.55 V，Ets為3 mJ。新的超場截止產(chǎn)品與一個(gè)具有軟關(guān)斷特性的快速恢復(fù)二極管共同封裝在一起，仍提供最小的反向恢復(fù)損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用于不間斷電源(UPS)和太陽能逆變器，而NGTB40N120L3WG主要針對電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

　　安森美半導(dǎo)體功率分立器件分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“我們把新的超場截止IGBT配以優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管達(dá)到最佳狀態(tài)，完美地平衡了VCEsat和Ets，從而降低開關(guān)損耗，并增強(qiáng)硬開關(guān)應(yīng)用在寬范圍開關(guān)頻率的電源能效。同時(shí)它還提供工程師期望從IGBT獲得的強(qiáng)固工作和高性價(jià)比。”

　　封裝和定價(jià)

　　NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG都采用符合RoHS的TO-247封裝，每10,000片批量的單價(jià)分別為2.02美元、1.76美元和2.12美元。