新材料和IGBT是功率半導體領域的熱門話題。新材料主要是GaN, SiC這些寬帶隙(WBG)材料。WBG材料前景非常好! 目前仍有許多問題需要克服。

       寬禁帶半導體材料的主要電性測試，用簡單的器件結構來驗證新材料的高壓／高流下的ＩＶ特性。

       (大)功率半導體器件(有時也稱電力電子器件)，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件, 如整流,開關器件等（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）。其中典型代表為 GTO (門極或關斷晶閘管), GTR(電力晶體管, 巨型晶體管),power MOSFET(功率場應晶體管), IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 等。

功率半導體器件的主要特性：

       吉時利產(chǎn)品專注于器件級特性分析，可以提供功率系統(tǒng)設計測試解決方案。完善的解決方案包括SMU儀器、電纜、測試夾具、軟件、測試程序庫和樣本器件。

功率半導體測試中的幾個要點：

A. 高電流測試時的連線方法-- 四線法連線（remote sense）。

Ｂ. 自熱效應-- 脈沖測試（Pulse Measurement）。

C. 高壓電容測試-- BiasT, Protection Module, CV測試。

D. 器件振蕩及解決方案。