GT Advanced Technologies（納斯達克：GTAT）今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生產爐。SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。 

    GT的總裁兼首席執(zhí)行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對更高品質SiC材料的需求，這些材料將用于生產先進的高功率及高頻設備。SiClone100為我們的SiC產品藍圖奠定堅實基礎，根據(jù)藍圖我們預計在未來向客戶提供可生產八英寸SiC芯片的完整生產環(huán)境，包括配方、熱場及耗材。” 

    GT利用其在晶體生長技術領域深入的專業(yè)知識，為正在尋求“從實驗室向工廠轉化”的客戶提供高度可靠及經驗證的平臺，幫助客戶開始量產SiC晶體塊。SiClone100爐裝備有最先進的控制系統(tǒng)，通過將爐電子與人機界面（HMI）相結合，實現(xiàn)生長過程的自動化。SiClone100采用底部灌裝設計，從而令熱場灌裝變得簡單。 控制系統(tǒng)為用戶帶來更大的靈活性，用戶可根據(jù)需要制定過程配方及控制生產參數(shù)，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續(xù)運行的控制重復性，最終降低制造成本。GT的現(xiàn)場工程師及支援團隊將幫助客戶快速啟動量產。 

    本公司繼續(xù)預計SiC爐的銷售情況將僅占其2013歷年收入的1%以下，并預計2014年及之后的SiC爐收入情況將會逐步好轉，原因是新電力設備有關的設計周期較長。 

關于GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一家多元化科技公司，為全球太陽能、LED及電子行業(yè)提供創(chuàng)新的晶體生長設備及解決方案。我們的產品促進了提高性能、降低生產成本的新興先進材料的推廣應用。有關GT Advanced Technologies的更多信息，請瀏覽www.gtat.com。

前瞻性聲明

本新聞稿的若干信息涉及本公司對其業(yè)務及行業(yè)作出的未來預期、規(guī)劃與展望，構成1995年《私人證券訴訟改革法案》“安全港”條文下的“前瞻性聲明”，此等信息包括但不限于： 本公司成功向客戶推廣及銷售SiClone100爐的能力；本公司成功開發(fā)可生產更大SiC芯片的新型SiC爐的能力；SiC爐銷售額在2013年收入中所占比例的可能性；及SiC爐銷售額在2014年及之后將會出現(xiàn)上升的可能性。該等前瞻性聲明并非業(yè)績保證，且受大量不明朗因素及其他因素的影響，其中許多因素超出本公司控制范圍，可能導致實際事件與本聲明的表述或暗示存在重大差異。 

    可能導致實際事件與本聲明的表述或暗示存在重大差異的其他因素包括整體經濟環(huán)境及持續(xù)緊縮的信貸市場對本公司產品需求產生的不利影響、技術變動可能致使現(xiàn)有產品或技術過時、本公司可能無法保護其知識產權、來自其他制造商的競爭可能加劇、匯率波動及信貸市場及經濟環(huán)境可能降低市場對公司產品需求以及GT Advanced Technologies Inc.提交證券交易委員會文件中所概述的眾多其他風險，包括本公司截至2013年3月30日止三個月期間Form 10-Q中的季度報告“風險因素”一節(jié)的陳述。本新聞稿的聲明須根據(jù)這些重要因素進行評估。本新聞稿中的聲明代表GT Advanced Technologies Inc.于本新聞稿刊發(fā)日期的期望與信念。GT Advanced Technologies Inc.預計后續(xù)事件及發(fā)展可能會導致該等期望與信念發(fā)生改變。GT Advanced Technologies Inc.并無責任更新或修改其前瞻性聲明，且明確表示不承擔任何該等責任，無論有關更新或修改是由于新資料、未來事件或其他原因所導致。