據(jù)新華社消息，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心最近在22納米技術代集成電路關鍵技術研發(fā)上取得突破性進展。消息稱該中心的研究人員摒棄了傳統(tǒng)的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金屬柵等新材料、新工藝，研制出了性能良好的器件，技術水平達到國內領先、世界一流。

　　報道還介紹在研發(fā)過程中，中國科學院與北京大學、清華大學、復旦大學的聯(lián)合項目組完成了1369項專利申請，其中包括424項國際專利申請，為中國在集成電路領域掌握自主知識產權，取得國際話語權奠定了基礎。該成果的取得也為中國繼續(xù)自主研發(fā)更先進的16納米及以下技術代的關鍵工藝提供了必要的技術支撐。

　　據(jù)了解，美國Intel 公司采用高K材料和金屬柵結構的22納米微處理器在2011年下半年已經(jīng)實現(xiàn)量產，目前Intel公司正在美國興建一座全球最先進的工廠，預計在2014年有望實現(xiàn)14納米產品的量產。中國目前最先進的、國家“自主可控”的芯片制造公司是中芯國際，其量產的能力在45 納米產品。中芯國際 32 納米產品的量產能力還在形成當中，預計2013年可以試產。

　　總體上，中國最先進廠商和國際一流廠商的生產技術水平大約相差2～3代（4～5年），而自主研發(fā)的能力相差更大。從中科院有關項目的進展以及項目聯(lián)合單位的組成來看，中國的基礎集成電路工藝研發(fā)和生產制造之間脫節(jié)的問題還沒有解決。在美國，象紐約州Albany 納米技術中心這樣的研究機構承擔了一些先進工藝的先期、探索性的開發(fā)工作，其經(jīng)費來源有來自政府的研究基金，也有企業(yè)通過項目合作的方式提供的資助，研究項目和企業(yè)生產實際結合的較好。在中國， “學院式” 的研發(fā)如何和工廠生產實踐中遇到的科研問題相結合還有待磨合。其實中國在上世紀70-80年代曾經(jīng)推廣過的“科研和生產實踐相結合”的路子有其非常合理的一面，可惜物極必反，很多事情做過頭又矯枉過正，結果好的東西反而得不到“批判性”地傳承。