技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出兩款封裝式低噪聲放大器 (LNA) 增益模塊－TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz極寬帶寬范圍內提供經濟型的高性能。這兩款放大器產品具有極高線性度和極低噪聲的特點，非常適用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站應用。
除了在無線基礎設施中實現高性能之外，新的TQP3M9035和TQP3M9038還可用于從中繼器和塔式安裝放大器到通用電路等需要高線性度、寬帶低噪聲增益模塊的各種系統。
新的TQP3M9035具有+37 dBm高三階交調截取點 (OIP3) 和0.66 dB極低噪聲、16.5 dB增益和在1 dB增益壓縮（P1dB）射頻輸出功率為22.5 dB。典型使用包括接收器和發射增益模塊放大器、中頻增益模塊放大器和用于極小口徑終端 (VSAT) 的中頻放大器、以及點對點微波無線電中的第一、第二或第三低噪聲放大器。該器件還具有TDD-LTE系統要求的集成式數字關斷偏壓能力。TQP3M9038的OIP3為+39.5 dBm、噪聲系數為2 dB、14.9 dB的平坦增益響應（500 MHz - 3.5 GHz帶寬范圍上偏離只有+/-0.3 dB）和+21.6 dBm的P1dB射頻輸出功率。
TriQuint使用其高性能E-pHEMT工藝為這兩種新器件提供內部匹配。即使器件在極寬頻率范圍內工作，內部匹配可消除對許多典型外置優化電路的需要。只需要一個外置射頻扼流圈以及隔離/旁路電容，操作在一個單一的+5 V電源供電 。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分別只有110 mA和85 mA。兩款器件均采用內置有源偏壓電路，以便在偏壓和溫度變化時也能穩定運行。TQP3M9035采用2x2 mm DFN封裝，TQP3M9038采用3x3 mm QFN 封裝；二者都符合RoHS標準的要求。
技術細節：
TQP3M9035
50 MHz - 4 GHz 高線性度低噪聲放大器；0.66 dB噪聲系數；+37 dBm OIP3；+22.5 dBm P1dB射頻輸出功率；16.5 dB 增益。提供關斷能力，內匹配；在110 mA, +5V單電源運作；2x2 mm DFN 塑料封裝。
TQP3M9038
50 MHz - 4 GHz 高線性度低噪聲放大器；2 dB噪聲系數；+39. 5dBm OIP3，21.6 dB P1dB 射頻輸出功率，14.9 dB +/-0.3 dB (500 MHz - 3.5 GHz) 極平坦增益響應。內匹配；在85 mA, +5V單電源運作；3x3 mm QFN封裝。
新TQP3M9035和TQP3M9038目前在產。TQP3M9035可提供完全組裝的500 MHz - 4 GHz評估裝置。TQP3M9038的裝置包括中頻版本 (50 - 500 MHz) 和射頻版本 (500 MHz - 4 GHz)。欲了解產品細節請聯系TriQuint，欲聯系銷售代表或分銷商，請登錄http://cn.triquint.com/sales。
關于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系；TriQuint產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識，TriQuint生產基于砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、聲表面波 (SAW) 和體聲波 (BAW) 技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產中心，在北美地區和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com/。
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