??? 賽普拉斯(Cypress)半導(dǎo)體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲(chǔ)器采用65納米工藝技術(shù)，由臺(tái)灣聯(lián)華電子（UMC）的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最快的時(shí)鐘，速率可達(dá)550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)據(jù)率達(dá)到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定及模塊化的以太網(wǎng)交換機(jī)、3G基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想產(chǎn)品，還可以改善醫(yī)學(xué)成像和軍事信號(hào)處理系統(tǒng)的性能。這些器件與90納米SRAM管腳兼容，從而允許網(wǎng)絡(luò)客戶(hù)在保持板卡布局不變的同時(shí)改進(jìn)性能，并且將表和包緩沖器的容量擴(kuò)充一倍。
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??? 與90納米SRAM相比，賽普拉斯的65納米QDR 和 DDR SRAM的待機(jī)和動(dòng)態(tài)耗電量降低了50%，從而順應(yīng)當(dāng)前的“綠色”網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)應(yīng)用趨勢(shì)。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片上終止器（ODT），從而省去了外部的中止器電阻，可以改善信號(hào)完整度并節(jié)省系統(tǒng)成本和板卡空間。65納米器件采用一個(gè)鎖相環(huán)（PLL）而非延遲鎖定環(huán)（DLL），從而使數(shù)據(jù)有效窗口拓寬了35%，進(jìn)而簡(jiǎn)化了板級(jí)時(shí)序收斂并增強(qiáng)了與第三方處理器的兼容性。
供貨情況及照片
??? CY7C16xxKV18 65-nm QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+ SRAM目前正在出樣，預(yù)計(jì)2010年第一季度投產(chǎn)。每個(gè)器件均可有基于I/O寬度（x18 或 x36）、突發(fā)長(zhǎng)度(B4 或 B2)以及延遲時(shí)間(1.5, 2.0 或 2.5)的多種配置。65納米144-Mbit SRAM采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的165FBGA封裝，與現(xiàn)有的90納米QDR和DDR器件管腳兼容，因而能很方便地替換。