Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采用5 V單電源供電的可編程只讀存儲器，是一種電可擦除與重新編程的器件。該器件由8個獨立的64 K字節(jié)塊組成，訪問速度為55~150 ns。片內(nèi)的狀態(tài)機控制編程和擦除器件、嵌入式字節(jié)編程與區(qū)段/芯片擦除功能是全自動的。內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

　　A0～A18：地址線。其中A8～A18提供存儲區(qū)地址，行地址確定所在扇區(qū);A0～A7選定某扇區(qū)的一 個字節(jié)，扇區(qū)容量是256字節(jié)。DQ0-DQ7：數(shù)據(jù)輸入/輸出。在讀周期輸出數(shù)據(jù); 在寫周期接收數(shù)據(jù)。寫過程中寫入的數(shù)據(jù)被內(nèi) 部鎖存。CE：輸入，芯片使能, 低電平時選中該器件。OE：輸入，輸出使能, 低電平時打開數(shù)據(jù)輸出緩沖 區(qū)，允許讀操作WE：輸入，寫使能，低電平時允許寫操作。Vcc為5V電源。Vss為地。

　　工作方式有讀方式、待機方式、輸出禁止及算法選擇。例如，對于寫操作的編程命令，如表1所列。 其中：RA為被讀出的存儲單元地址; PA為被編程的存儲單元地址; RD為所選地址單元被讀出的數(shù)據(jù); PD為所選地址單元被編程的數(shù)據(jù)。除編程地址、區(qū)段地址和讀地址之外的所有總線周期地址，地址引腳A18、A17、A16、A15為高或低。

　　下面以命令表的編程命令為例，簡要介紹字節(jié)編程。表1所列命令是一個4總線周期指令。首先，在地址5555H寫入數(shù)據(jù)0AAH，地址2AAAH寫入數(shù)據(jù)055H，再在地址5555H寫入數(shù)據(jù)AOH，最后是編程的地址和數(shù)據(jù)。 對于芯片擦除功能，自動地提供編程和電擦除之前，校驗所有存儲單元所需的電壓和時序，然后自動擦除并校驗單元界限。利用數(shù)據(jù)輪詢(data-polling)特性，可以監(jiān)視自動芯片擦除操作期間器件的狀態(tài)，以檢驗操作是否完成。

　　程序如下：int Chip-Erase (){*(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫芯片擦除命令部分*/*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x80808080;*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA：*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x10101010;while((*(int)0x00005555&0x80808080)!=0x80808080) /*數(shù)據(jù)輪詢*/ 對于區(qū)段擦除暫停，在區(qū)段擦除期間擦除暫停有效，數(shù)據(jù)值為BOH，不管地址值。區(qū)段擦除恢復(fù)，僅在擦除暫停之后擦除有效，數(shù)據(jù)值為30H，不管地址值。下面是簡要的程序代碼：int Sector- Erase(sectadd) int * sectadd;{ *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫區(qū)段擦除命令部分*/ *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *(int*)0x00005555=0x80808080; *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *sectadd=0x30303030; 對于數(shù)據(jù)保護，此特性禁止在1-8個區(qū)段的任何組合進行編程和擦除操作。執(zhí)行編程和擦除被保護區(qū)段的命令時，不改變區(qū)段內(nèi)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輪詢位和跳轉(zhuǎn)位工作在2～100μs，然后返回到有效數(shù)據(jù)。在地址引腳A9和控制引腳E，使用11.5~12.5 V高電壓VID’且在控制引腳E上使用VIL將使此特性起作用。其具體操作為：當(dāng)W為VIH’E為VIL且地址引腳G為VID時，區(qū)段保護方式被激活，地址引腳A18、A17、A16用來選擇被保護的區(qū)段。一旦地址穩(wěn)定，W處于脈沖低電平，操作開始于W的下降沿。