世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay™ )寫入特性。
　　
　　FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲器，能夠以高達20MHz的總線速度進行寫操作，具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)。F-RAM存儲器陣列在接收到數(shù)據(jù)后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器，不同于需要數(shù)據(jù)輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲器，F(xiàn)-RAM存儲器可以立即開始下一個總線周期，這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用，包括工業(yè)控制和高速數(shù)據(jù)采集等應(yīng)用。
　　
關(guān)于FM25xxxC系列
　　
　　Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一個串行SPI接口，工作電壓為5V，在-40°C 至 +85°C的全工業(yè)溫度范圍內(nèi)。此外，F(xiàn)M25xxxC系列產(chǎn)品還具有低功耗特性，當(dāng)時鐘頻率為1MHz時,工作電流約為250uA。以及復(fù)雜的寫入保護機制，可以防止無意的存儲器數(shù)據(jù)寫入。全系列器件均采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳“綠色”RoHS兼容SOIC封裝。除FM25xxxC系列之外，Ramtron還提供I2C接口的FM24xxxC系列串口存儲器樣片，包括4Kb、16Kb和64Kb容量。
　　
關(guān)于Ramtron公司和F-RAM技術(shù)
　　
　　Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)公司總部設(shè)在美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯，是一家無晶圓廠半導(dǎo)體公司，設(shè)計、開發(fā)和銷售用于世界范圍之廣泛產(chǎn)品應(yīng)用及市場的專業(yè)半導(dǎo)體存儲器和集成半導(dǎo)體解決方案。
　　
　　Ramtron是在半導(dǎo)體產(chǎn)品中采用鐵電材料的先驅(qū)企業(yè)，開發(fā)了新類型非易失性存儲器，稱作鐵電隨機存取存儲器即F-RAM。Ramtron的鐵電存儲器結(jié)合了動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數(shù)據(jù)儲存特性，即無電存儲數(shù)據(jù)的能力。自從這項技術(shù)商業(yè)化以來，Ramtron已經(jīng)在嚴(yán)苛的應(yīng)用領(lǐng)域銷售了數(shù)億個F-RAM器件，包括汽車安全和娛樂系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)過程控制系統(tǒng)、智能電表和消費打印機墨盒。F-RAM技術(shù)是市場上功效最高的非易失性存儲器技術(shù)，有望為超高效電池供電產(chǎn)品和能量收集應(yīng)用的開發(fā)鋪平道路。要了解更多的信息，請訪問公司網(wǎng)站www.ramtron.com。
　　
安全規(guī)避聲明
　　以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規(guī)定而發(fā)出的“安全規(guī)避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”，這些“前瞻性聲明”可能涉及風(fēng)險、不確定性和假設(shè)，而實際的結(jié)果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預(yù)計結(jié)果出現(xiàn)重大的差異。如要探討這些風(fēng)險，請參考Ramtron提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的，Ramtron明確表示沒有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務(wù)或職責(zé)。