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恩智浦硅鍺碳BiCMOS QUBIC4技術促進射頻創新

2009-06-17
作者:恩智浦半導體

????恩智浦半導體(NXP Semiconductors),近日推出業界領先的QUBIC4 BiCMOS硅技術,實現在高頻率上提供更優的性能和更高集成度的同時,為客戶帶來成本優勢。恩智浦承諾將進一步加大對QUBIC4 BiCMOS技術的投入,使未來的射頻(RF)產品,如手機和通信基礎設施設備所用的低噪聲放大器、中功率放大器和LO發生器等,能夠具有更強的性能特性。

??? 恩智浦創新的硅鍺碳工藝,可使客戶在器件中集成更多功能,同時進一步降低成本,減小占用空間。出類拔萃的QUBIC4技術具有最出色的低噪聲性能和大量可用IP,從而加快硅器件對砷化鎵器件的替換,在所有雙向數據傳輸系統中提供更大的帶寬,提高語音、圖像和數據信號的清晰度,使客戶滿意;特別是在GPS、無線基站、電子計量等領域,恩智浦的QUBIC4技術有助于加快GPS系統的衛星跟蹤和定位,改善基站性能,實現電子計量產品的普及,同時推動WLAN、衛星和微波無線電應用。


??? 恩智浦同時也可提供QUBIC4的ASIC服務。結合我們豐富的射頻和微波設計經驗、大量的IP、先進的低成本射頻封裝技術,以及自有的晶元工廠,我們能為客戶提供質量可靠的批量生產能力。


??? 恩智浦硅鍺碳 BiCMOS QUBiC4技術在發展過程中產生了三種版本:


·QUBiC4+:以硅技術為基礎,非常適合5 GHz及以下頻率的應用,以及中功率放大。

·QUBiC4X:第一代硅鍺碳技術,非常適合頻率在30 GHz及以下的應用,以及GPS等超低噪聲應用。

·QUBiC4Xi:最新的硅鍺碳技術,改善了Ft (> 200 GHz),噪聲系數更低,非常適合VSAT和雷達等頻率在30 GHz以上的應用。


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